KAIST, '스마트 출입문' 반도체로 저장공간 크게 늘린다 | 연합뉴스 

데이터 삭제 속도 23배↑…낸드플래시 소자 난제 해결

KAIST 연구진이 더 많은 정보를 더 작은 공간에 담아야 하는 차세대 반도체의 한계를 넘어설 수 있는 혁신 기술을 개발했다.

한국과학기술원(KAIST)은 전기및전자공학부 조병진 교수 연구팀이 반도체에 새로운 소재를 적용, 전자의 이동을 상황에 따라 제어하는 '스마트 출입문' 구조를 구현했다고 20일 밝혔다.

이를 통해 평면(2차원) 배열한 기존 메모리셀과 달리 데이터를 저장하는 반도체 셀을 위로 층층이 쌓아 더 많은 정보를 저장할 수 있게 한 기술인 '3차원 V-낸드'(3D V-NAND) 메모리의 단점 등을 극복할 수 있을 전망이다. 

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조병진 교수는 "이번 연구는 차세대 초고용량 메모리 제조에 바로 적용할 수 있는 독창적인 기술"이라며 "반도체 강국인 대한민국의 기술 초격차를 유지하는 데 크게 기여할 것"이라고 말했다.

이번 연구는 삼성전자가 주최한 제32회 삼성휴먼테크논문대상에서 대학 부문 전체 1위인 대상을 받았다.