삼성,TSMC, 인텔 등 업체에서 요즘 3nm 반도체 양산에 심혈을 기울이고 있답니다.
6개월~1년만 뒤쳐져도 확 밀리는 치열한 경쟁을 하고 있다네요.
그런데 3nm, 2nm 하는 것이 반도체 내부의
실제 선로 폭이나 선로 간의 거리는
아니랍니다.
'트랜지스터의 집적도가 예전 넓은 폭에
비해 '3nm 급' 에 해당한다.'
정도의 일종의 비즈니스 용어로
보면 된다고 합니다.
실제 물리적 회로 폭은 최신 공정도 12~20nm
정도가 한계라는군요.
이 정도라도 물리적으로 구현된다는게
정말 경이롭습니다.
이잔 세대 대비 개선된 결과로 말해야죠
본문은 로직 회로 이야기라 3D nand 가 왜 나오는지 모르겠네요.
두 개가 좀 많이 다른 개념이라서요.