인피니언, 300mm 웨이퍼 기반 GaN 전력반도체 양산 시설 구축
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인피니언, 유럽에 세계 최초 300mm 웨이퍼 기반 GaN 전력반도체 양산 시설 구축
인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 유럽에 세계 최초 300mm 웨이퍼 기반 GaN(질화갈륨) 전력반도체 양산 시설을 구축한다. 인피니언은 이번 프로젝트를 위해 2034년까지 오스트리아 빌라흐의 기존 클린룸 시설에 약 11억유로를 투자한다. 기존 인프라와 업그레이드된 시설을 활용해 제조 역량을 효율적으로 확대할 계획이며, 생산은 2027년 말까지 시작할 예정이다.
이번 투자는 빠르게 증가하는 고성능 전력 공급 솔루션 수요에 대응하기 위한 것이다. GaN은 AI 데이터센터, 에너지 인프라, e-모빌리티, 로보틱스, 소비자 전자기기 등 다양한 애플리케이션에서 상당한 효율 향상을 가능하게 한다.
인피니언은 GaN 전력전자 분야의 선도기업이다. 인피니언은 2년 전 업계 최초로 300mm GaN 웨이퍼 가공에 성공하며 기술적 이정표를 세웠다. 300mm 웨이퍼는 더 큰 직경을 활용해 웨이퍼당 생산되는 칩 수가 200mm 웨이퍼 대비 2.3배 많아 보다 효율적인 생산이 가능하다. 인피니언은 이제 이 기술을 세계 최초의 고객 공급용 양산 시설로 이전한다.
요흔 하나벡(Jochen Hanebeck) 인피니언 CEO는 “300mm 웨이퍼 기반 양산 체제를 구축함으로써 인피니언은 GaN 전력전자를 세계 최초로 대량 생산하는 기업이 될 것이다. 이를 통해 AI, 에너지 인프라, e-모빌리티, 로보틱스 등 다양한 핵심 애플리케이션에 GaN이 폭넓게 적용될 수 있는 기반을 마련할 것이다. 이번 최첨단 제조 시설은 인피니언의 혁신 리더십을 고객에게 직접적인 혜택으로 연결한다”고 말했다.
이번 투자는 유럽 반도체법(European Chips Act)에 따라 지원된다. 유럽연합 집행위원회는 3억1900만유로 규모의 국가 지원을 승인했다.
GaN은 전력을 보다 효율적으로 스위칭하고 변환할 수 있는 첨단 반도체 소재로, 에너지 손실과 발열을 줄이면서 더 작고 강력하며 에너지 효율적인 전자 시스템을 구현할 수 있다. Yole Group은 GaN 전력반도체 시장이 2031년 약 35억달러 규모로 성장하고, 2025년부터 2031년까지 연평균 약 35% 성장할 것으로 전망한다*.
* Yole Group: Power GaN 2026 report: www.yolegroup.com/product/report/power-gan-2026
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