삼성전자는 24일(현지시간) 미국 샌프란시스코 더 미드웨이(The Midway)에서 열린 ‘AI 서밋’ 행사에서 글로벌 AI 반도체 기업 브로드컴과 차세대 AI 핵심 인프라 구축을 위한 전략적 업무협약(MOU)을 체결했다.

‘AI 서밋’ 행사에는 한진만 삼성전자 Foundry사업부장 사장과 혹 탄(Hock Tan) 브로드컴 CEO를 비롯한 양사 경영진, 정부 관계자 등이 참석했다.

삼성전자는 메모리, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 세계 유일의 ‘원스톱(One-Stop) 턴키 솔루션’을 기반으로 브로드컴과의 협력을 확대하고, 차세대 AI 반도체 시장에서 차별화된 고객 가치를 제공할 예정이다.

이번 협약에 따라 양사는 2030년까지 향후 5년간 메모리·파운드리 분야에서 2,000억 달러 이상 규모의 전략적 협력을 추진하며 AI 반도체 분야의 기술 협력을 한층 확대해 나갈 계획이다.

삼성전자, 최첨단 HBM 솔루션으로 브로드컴 AI 가속기 경쟁력 강화

최근 글로벌 빅테크 기업들을 중심으로 자체 AI 가속기(ASIC) 도입이 빠르게 확대되는 가운데, 이번 협력은 커스텀 반도체 설계 분야를 선도하는 브로드컴과 메모리·제조·패키징 기술을 아우르는 삼성전자의 역량을 결합해 차세대 AI 반도체 경쟁력을 높인다는 점에서 의미가 크다.

삼성전자는 세계 최고 수준의 메모리 기술력과 초격차 경쟁력을 바탕으로 HBM을 비롯한 최첨단 메모리 솔루션을 공급해 브로드컴 AI 가속기의 성능과 경쟁력 강화에 기여한다.

업계 최초 1c D램과 4nm 베이스다이 기술을 적용한 HBM4를 지난 2월 전 세계 최초로 양산 출하한 데 이어, 5월에는 HBM4E 샘플도 업계 최초로 고객사에 공급하며 차세대 HBM 기술 리더십을 이어가고 있다.

삼성전자의 HBM은 업계를 선도하는 성능과 신뢰성, 전력 효율성을 기반으로 브로드컴 AI 가속기의 성능을 극대화하는 등 차세대 AI 인프라 경쟁력을 뒷받침하는 핵심 메모리 솔루션으로 활용될 예정이다.

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