SK하이닉스, 차세대 AI 메모리 ‘HBM4E’ 12단 샘플 공급

주요 고객사들에 HBM4E 12단 샘플 공급
 핀당 최대 16Gbps 속도 구현… 성능 · 전력효율 동시 개선
 어드밴스드 MR-MUF 적용, 열 저항 17% 개선으로 안정성 강화
 “업계 최고 기술 경쟁력과 양산 역량 이어가 AI 혁신 리드… 시장이 요구하는 가치 선제적으로 구현”

SK하이닉스는 차세대 AI용 초고성능 D램 신제품인 ‘HBM4E’ 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다고 18일 밝혔다.

SK하이닉스는 “그동안 축적해 온 HBM 선행 개발 역량과 생산 노하우를 바탕으로 HBM4E 12단 샘플을 고객들에게 선보일 수 있었다”며 “핵심 고객사들과 긴밀히 협업해 적기 양산에 만전을 기하겠다”고 설명했다.

이번 신제품은 이전 세대인 HBM4 대비 성능과 전력 효율을 모두 한 단계 끌어올린 것이 특징이다. 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현하고 에너지 효율을 20% 이상 개선해, AI 학습과 추론에 필수적인 데이터 처리 성능을 대폭 높였다.

또한 HBM4E는 최신 인터페이스와 설계 최적화로 데이터 전송 지연을 줄이고 고대역폭 환경에서도 안정적인 동작을 구현했다. 이를 통해 차세대 AI 데이터센터와 대규모 컴퓨팅 시스템의 처리 효율을 한층 높일 수 있을 것으로 회사는 기대하고 있다.

회사는 HBM4E에 어드밴스드(Advanced) MR-MUF* 공정을 적용해 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현하는 동시에 구조 안정성을 높였다. 특히 열 저항을 HBM4 대비 약 17% 낮춰, 고성능 컴퓨팅 환경에서도 메모리가 안정적으로 동작하도록 했다.

* MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill): 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고, 굳히는 공정

SK하이닉스는 HBM3, HBM3E, HBM4로 이어지는 양산 · 공급 경험을 바탕으로 고객 요구에 최적화된 메모리 설루션을 적기에 제공해 왔다. 회사는 시장에서 검증된 품질과 공급 역량을 기반으로, HBM4E에서도 AI 시스템의 병목을 고객과 함께 해소하며 차세대 인프라 구현을 지원해 나갈 계획이다.

SK하이닉스 안현 개발총괄 사장(CDO, Chief Development Officer)은 “그동안 쌓아 온 업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가, AI 혁신을 지속적으로 리드해 갈 수 있는 기반을 마련했다”며 “파트너들과 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해, 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서의 기술 리더십을 공고히 하겠다”고 말했다.