소프트뱅크-인텔, HBM 대체할 '9층 HB3DM' 기술 공개 | 전자신문
소프트뱅크의 AI 메모리 전문 자회사 사이메모리(SAIMEMORY)가 인텔과 공동 개발한 차세대 3차원(3D) 메모리 기술을 공개했다. 극도로 얇은 3마이크로미터 두께 칩을 9층으로 적층하고 완전 접합하는 방식으로 고대역폭메모리(HBM)의 한계를 극복한 기술이다.
3일 업계에 따르면 사이메모리 연구팀은 오는 6월 미국 하와이에서 열리는 VLSI 심포지엄에 HB3DM(Hybrid Bonded 3D Memory) 기술을 처음 발표할 예정이다.
HB3DM은 현재 AI 칩에 주로 사용되는 HBM의 주요 단점을 보완한 차세대 기술이다. 기존 HBM은 메모리 칩을 여러 층으로 쌓되 층 사이를 마이크로 범프로 연결하기 때문에 전력 소비가 높고 발열이 크며 용량 확대에도 한계가 있었다.
반면 HB3DM은 칩을 3마이크로미터 두께로 극박화한 뒤 9층(로직 1층 + D램 8층)으로 적층하고, 퓨전 본딩(Fusion Bonding) 기술로 층과 층을 거의 완전히 접합한다. 여기에 비아-원-인(Via-in-One) 구조를 적용해 8층 메모리 큐브 내부의 모든 금속 배선이 수직 연결선(TSV)에 한 번에 직접 연결되도록 설계했다.
이를 통해 신호 전달 속도가 빨라지고 전력 효율이 크게 개선됐으며, mm²당 약 0.25테라비트/초의 높은 대역폭을 상대적으로 낮은 전력으로 구현할 수 있게 됐다.
