삼성전자가 4조원을 들여 독자 개발한 D램 공정 기술을 중국에 유출한 혐의로 기소된 삼성전자·하이닉스반도체(현 SK하이닉스) 전직 임원 최진석씨가 1심 재판을 받다가 보석 석방된 것으로 29일 전해졌다. 

삼성전자 평택캠퍼스 전경./뉴스1

 서울중앙지법 형사24부(재판장 이영선 부장판사)는 지난 15일 최씨의 보석을 허가했다. 최씨는 산업 기술의 유출 방지 및 보호에 관한 법률 위반 등 혐의로 작년 9월 구속 기소된 데 이어 올해 3월 추가 기소됐다. 형사소송법상 1심 재판에서 구속 기한은 6개월이다. 구속 기한이 만료되기 전 재판부가 직권으로 보석을 허가한 것이다.

또 최씨와 함께 구속 기소된 삼성전자 수석연구원 출신 오모씨는 지난 8월 28일 보석으로 풀려난 것으로 전해졌다. 오씨가 같은 달 21일 보석을 신청했고, 재판부가 이를 인용한 것이다.

두 사람의 보석 조건은 보증금 1억원, 주거지 제한 등이다. 또 재판부 소환 시 반드시 정해진 일시, 장소에 출석해야 하고, 출국 시 법원의 허가를 받아야 하며, 도망 또는 증거를 인멸하는 행위를 하면 안 된다. 아울러 공범 등 사건 관련자들과 접촉하는 것을 금지하고, 실시간 위치를 추적할 수 있는 전자 장치도 부착하도록 했다.

앞서 삼성전자·하이닉스반도체 임원을 지낸 최씨는 오씨 등과 함께 삼성전자가 독자 개발한 D램 공정 기술을 중국에 유출한 혐의로 구속 기소됐다. 

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