| SLC [Single Level Cell] | 하나의 셀에 1bit(2) 의 정보를 저장 | 0, 1 |
|---|---|---|
| MLC [Multi Level Cell] | 하나의 셀에 2bit(4) 의 정보를 저장 | 00, 01, 10, 11 |
| TLC [Triple Level Cell] | 하나의 셀에 3bit(8) 의 정보를 저장 | 000, 001, 010, 011, 100, 101, 110, 111 |
SLC, MLC, TLC 의 특징
| SLC | MLC | TLC | |
|---|---|---|---|
| bpc (bit/cell) | 1 | 2 | 3 |
| 재기록 가능 횟수 (P/E Cycles) | 100,000 | 10,000 ~ 3,000 | 1,000 |
| 읽기 성능 (Read Time) | 25㎲ | 50㎲ | ~75㎲ |
| 쓰기 성능 (Write Time) | 200㎲~300㎲ | 600㎲~900㎲ | ~900㎲~1350㎲ |
| 지우기 성능 (Erase Time) | 1.5ms~2ms | 3ms | ~4.5ms |
쉽게 이야기 해서
TLC > MLC > SLC 순으로
단위 면적당 용량이 커지니까 원가는 줄어드는 반면
오류 위험 및 엑세스 속도가 증가하게 되는군요...
부디... 내 아이폰6 128GB는 체감 수준으로 속도차가 나지 않길..
[ 자료 펌 : http://cappleblog.co.kr/582 ]
#CLiOS
TLC도 MLC 속도 이미 따라 잡았지만 원천적인 수명 문제는 아직 MLC까지 못가지만 그것도 많이 따라 잡았고 보통 폰이 다 죽고 다 부서질때까지도 TLC로 만든 낸드플레쉬 메모리 수명을 다 못쓸겁니다.
다만 이제 아이폰 6/6+ 128G에서 문제 된것은
컨트롤러가 아직 TLC 낸드플레쉬를 제어하는데는
불안정하다는 추측밖에 할수없고 그러니 컨트롤러
문제라 보여집니다.
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