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21일 업계에 따르면 중국 CXMT는 지난 20일 중국 허페이에서 열린 '2026 세계제조업대회'에서 5세대 D램 공정 플랫폼의 양산을 공식화했다.

CXMT가 공개한 수치는 메모리 배열의 액티브 영역 하프피치 11.95나노미터다. 반도체 업체들이 쓰는 공정 명칭과 직접 비교할 수 있는 수치는 아니지만, 메모리 셀의 핵심 구조를 얼마나 촘촘하게 배치했는지를 보여주는 지표다. 이른바 '12나노급'이라는 표현도 이 수치에서 나온 것으로, 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론이 붙이는 12나노급 등급과 같은 기준은 아니다. CXMT는 이를 업계 최첨단 양산 플랫폼에 근접한 수준이라 주장했다.

CXMT는 새 플랫폼에 노광과 식각을 반복해 미세 회로를 구현하는 '자기정렬 쿼드러플 패터닝(SAQP)' 기술을 적용하고, 공정 시뮬레이션과 중국 장비업체들과의 핵심 공정 공동 개발도 병행했다. 미국의 수출 통제 압박 속에서도 자체 공정 개선을 이어왔고 앞으로도 발전할 여지가 남아있다는 해석이 가능하다.

미국은 2022년부터 18나노 이하 D램 생산에 필요한 첨단 장비의 중국 수출을 제한해왔다. 중국은 공정 단계와 비용이 늘어난다는 제한된 환경 속에서 기존 노광 기술과 공정 개선을 통해 집적도를 높였다.

CXMT는 새 공정을 적용한 24Gb LPDDR5X 제품 2종도 공개했다. LPDDR5X는 스마트폰과 태블릿 등 모바일 기기에 주로 사용되는 저전력 D램이다. 양산 중인 두 제품은 주로 샤오미나 화웨이 등 중국 플래그십 스마트폰에 적용될 예정이다.

이번 발표에서 눈여겨볼 대목은 공정 미세화를 통한 생산성 개선이다. CXMT는 8Gb 제품을 기준으로 웨이퍼 한 장에서 만들 수 있는 칩 수가 기존 4세대 공정보다 최소 50% 증가했다고 밝혔다. 같은 생산설비에서 더 많은 칩을 만들 수 있으니, 중국 D램의 약점으로 꼽혔던 원가 경쟁력을 보완한 셈이다.

다만 이는 불량품을 제외하기 전 웨이퍼당 총 칩 수를 비교한 것으로, 실제 생산량을 결정하는 수율이 50% 개선됐다는 의미는 아니다. 제품의 신뢰성과 양산 수율도 공개되지 않았다. 삼성전자와 SK하이닉스의 공정 경쟁력을 따라잡았다고 평가하기는 이르다.

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