5나노 공정으로 美기업 수요 대응
바이든 지속적 투자 요구에 응답
한·미 정상회담 전후로 발표 전망
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17일 업계에 따르면 삼성전자는 미국 오스틴에 EUV 반도체 공장(팹) 구축을 내부 결정한 것으로 파악됐다. 올해 3분기에 착공, 2024년 가동이 목표다.
삼성전자는 새로 짓는 팹에 5나노미터(㎚) 공정을 구축할 계획인 것으로 알려졌다. 5나노는 지금까지 삼성이 상용화한 반도체 공정 가운데 가장 앞선 '선단' 공정이다.
삼성전자는 오스틴 팹 증설에 총 20조원을 투입할 계획이다. 신규 팹과 유틸리티 설비 구축에 필요한 사내 인력은 이미 오스틴에 파견한 것으로 파악됐다.
삼성전자의 해외 유일 파운드리 팹인 오스틴 팹은 현재 14㎚ 공정을 주력으로 서비스를 제공하고 있다. 삼성전자가 한국 외 지역에 5㎚ 초미세 파운드리 라인을 구축하는 건 미국이 처음이다. 특히 5㎚ 첨단 공정을 두는 건 미국 시스템 반도체 업체들의 수요를 겨냥한 것으로 풀이된다.
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삼성전자는 이들 글로벌 시스템 반도체 업체들이 미국에 몰려 있고 초미세 반도체에 대한 아마존·구글·마이크로소프트(MS)·테슬라 등 신규 대형 고객들의 수요 증가를 고려, 미국에 첨단 EUV 공정을 구축하기로 결정한 것으로 풀이된다. 실제 텍사스는 미국 정보기술(IT) 기업의 새로운 거점으로 떠오름으로써 HP엔터프라이즈, 오라클 등이 본사를 옮기고 있다.
이와 함께 삼성전자는 바이든 대통령이 추진하는 미국 내 반도체 생산 확대 정책에 대응하기 위해 오스틴 투자를 결정한 것으로 해석된다.
바이든 대통령은 취임 직후부터 자동차 등 주요 산업이 반도체 공급난의 영향을 받자 국가 경제나 안보와 관련된 핵심 품목들을 다른 나라에 의존할 수 없다고 보고 자국 내 생산능력 확대를 통해 문제를 해결하려는 의지를 내보였다. 이에 따라 대만 TSMC와 인텔이 미국 내 반도체 공장을 건설하겠다며 투자를 공식화했다. 삼성전자도 미국 정부의 반도체 공급망 재편을 기회로 삼기 위해 첨단 파운드리 라인 투자를 결정한 것으로 풀이된다.
가뜩이나 EUV 쓴거치고 성능도 시원치않은데
수율까지 안나오니 더 성능에 영향을 주니 원....
당장 EUV달고 나온 7LPP 조차
면적이 8% 더 작은거빼면 TSMC 1세대 ArF 7나노인
N7랑 비슷한 성능입니다.
출시 시기는 1년 차이나고 EUV인데도 말이죠..
EUV 와 성능, 수율과는 직접적으로 관계가 없죠.
아무래도 메모리 생산할때 만큼 마음껏 기능을 발휘 못하는게 조금 아쉽습니다.